2024年2月5日消息,据@Tech_Reve透露,三星Exynos 2400芯片采用4LPP+工艺,目前良率已达到约60%。尽管这一数字相较于竞争对手台积电N4P的约70%仍有所不及,但与一年多前的25%相比已有显著提升。
值得一提的是,Exynos 2400作为三星首款采用“扇出晶圆级封装”(FOWLP)技术的智能手机芯片组,据三星称,该技术将芯片的耐热性提高了23%,进而使多核性能提升8%。因此,Exynos 2400在最新的3DMark Wild Life极限压力测试中表现出色。
另据上个月Chosun的报道,三星电子代工厂已开始对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产,并计划在未来六个月内将良率提升至60%以上。据悉,三星正在测试在SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性,而首个采用三星SF3工艺的芯片预计将是一款专为可穿戴设备设计的应用处理器,计划用于今年晚些时候发布的Galaxy Watch 7等产品。
三星此前表示,他们计划在2024年下半年开始大规模量产SF3芯片。2023-2024年,3nm生产将成为主要焦点,即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+)。此外,该公司还计划于2025-2026年开始推出其2nm节点。
据三星介绍,SF3节点能够在同一单元内实现不同的环绕栅(GAA)晶体管纳米片通道宽度,从而提供了更高的设计灵活性。这一创新为芯片带来了更低的功耗和更高的性能,并通过优化设计增加了晶体管密度。随着良率的逐步提升和技术的不断创新,三星在芯片制造领域的竞争力有望进一步增强。