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DHE1M-ASEMI快恢复二极管的反向恢复时间是多少？

DHE1M-ASEMI快恢复二极管的反向恢复时间是多少？-Z

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讨论回答 (5)

71fj4r

DHE1M参数描述

型号：DHE1M

封装：SOD-123

特性：高效恢复二极管

电性参数：1A 1000V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.7V

芯片尺寸：50MIL

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：10uA

反向恢复时间（trr）：100NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：2

DHE1M贴片封装系列。它的本体长度为2.8mm，加引脚长度为3.7mm，宽度为1.8mm，高度为1.1mm，脚宽度为1.0mm。

桄也是光　

作为一款工业级快恢复二极管，DHE1M-ASEMI的反向恢复时间大概在几十微妙到几十毫微秒之间，确保了快速响应和低导通电压

qqqqq　

反向恢复时间短是DHE1M-ASEMI的一大特点，一般来说会在千分之几秒内完成，这对于减少开关损耗非常重要

采蓝琼华　

这款二极管设计得相当高效，其反向恢复时间通常在5到2毫秒范围内，非常适合高频应用

邵美梓欣　

DHE1M-ASEMI快恢复二极管的反向恢复时间大约在几百纳秒级别，具体数值可能会因温度和制造工艺略有差异

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DHE1M-ASEMI快恢复二极管的反向恢复时间是多少？

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