怎么用BIOS设置存储空间,我要具体的操作步骤?

SDRAM CAS Latency Time（内存CAS延迟时间） 可选项：2，3。内存CAS（Column Address

Strobe，列地址选通脉冲）延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行

该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存

的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失

数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的

分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行

于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家

感觉Intel的主板比较挑内存。
　　

SDRAM Cycle Time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）可选项：5/7，7/9。该参数用于确定SDRAM内存行

激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间（Row Active Time），它是为进行数据传输而开启行单元

所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间（Row Cycle Time），它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所

需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响

数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。
　　SDRAM RAS-TO-CAS Delay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）可选项：2，3。该参数可以控制SDRAM

行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，

需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。

（^23030501a^）
　　SDRAM RAS Precharge Time（内存行地址选通脉冲预充电时间）可选项：2，3。该参数可以控制在进行SDRAM

刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的

预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据

由于不知道具体的BIOS型号，所以无法给出操作方法。
可以直接开机后将集显切换成独显，步骤为：
鼠标在桌面空白处，单击鼠标右键，选择“NVIDIA 控制面板”。

进入 NVIAID 控制面板，选择“管理 3D 设置”。

可以通过“全局设置”来设置笔记本默认使用“独立显卡”还是“集成显卡”。

如果想设置当运行某一个程序时，在启用“独立显卡”或是“集成显卡”，可以通过“程序设置”来设置。