台积电2nm工艺2025投产

台积电在4月14日举行的第一季度财报电话会议上透露，公司正加速推进下一代先进制程的研发与量产进程。根据规划，3纳米制程芯片将于今年下半年正式投入大规模生产；而更先进的2纳米制程则计划于2025年实现量产，预量产工作预计将于2024年启动。针对外界关注的两大核心议题，台积电董事长兼首席执行官魏哲家作出明确回应：一方面，在宏观经济承压、通胀压力持续的背景下，台积电凭借深厚的技术积累、稳健的客户结构及全球领先的产能布局，具备充分韧性应对市场不确定性；另一方面，在2纳米技术路线上，公司坚定推进研发，并有信心延续其在先进制程领域的领先优势。 技术路径方面，台积电将在2纳米节点全面导入全环绕栅极晶体管（GAA FET），以突破鳍式场效应晶体管（FinFET）的物理极限，显著提升晶体管性能与能效比。相较之下，三星选择在3纳米阶段即率先采用GAA架构，策略更为激进；而台积电则坚持客户价值优先原则，为确保3纳米产品的成熟度、可靠性与成本效益，仍沿用优化后的FinFET结构。市场应用层面，高性能计算（HPC）已成为台积电增长最迅猛的业务板块，上一季度贡献营收占比达41%，略高于智能手机业务的40%；物联网与汽车电子分别占8%和5%，位居第三、第四大收入来源。随着AI算力需求爆发及智能驾驶加速落地，HPC与车用芯片有望持续驱动公司业绩向上。