国产首颗1.8亿像素全画幅CMOS试产
举报据悉,晶合集成依托自主开发的55纳米工艺平台,携手思特威联合攻关光刻拼接技术,有效解决了像素列拼接精度控制与良率提升等关键难题,成功突破单颗芯片尺寸受限于标准光罩面积的技术瓶颈,显著拓展了芯片集成能力。
在纳米级制造工艺中,拼接芯片需确保电学与光学性能连续、稳定且高度一致。

晶合集成宣布,首颗1.8亿像素全画幅CIS已成功试产。此举标志着光刻拼接技术在大靶面图像传感器领域实现突破性应用,同时为后续全画幅、中画幅等更大尺寸传感器的研发与量产奠定了坚实基础。
该产品搭载1.8亿超高像素传感器,支持8K/30fps拍摄,具备PixGain HDR高动态范围与高帧率成像能力,多项性能行业领先,并兼容多种光学镜头。
显著增强产品在终端的灵活适配能力,成功打破日本索尼在超高像素全画幅CIS领域的长期垄断。
晶合集成成立于2015年5月,由合肥市建设投资控股(集团)有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司共同出资设立。
晶合集成专注于半导体晶圆代工服务,已成功实现显示驱动芯片(DDIC)、微控制器(MCU)、CMOS图像传感器(CIS)、电源管理芯片(PMIC)及逻辑芯片(Logic)等多类产品的规模化量产。其产品广泛应用于消费电子、智能手机、智能家电、安防监控、工业控制以及汽车电子等多个领域,具备较强的技术适配能力与产业化经验,持续为客户提供稳定可靠的晶圆制造支持。