显微镜下识别芯片电路功能

常规逆向工程通常采用逐层腐蚀法：先用化学腐蚀剂剥离芯片表面各层介质与金属互连，每腐蚀一层便拍照记录，并进行关键尺寸测量，再依图像在版图设计软件中手工绘制对应结构。待全部金属层及介质层去除后，底层MOS晶体管结构显露出来。然而，由于P型与N型场效应管在加工完成后形貌高度相似，仅凭光学显微观察难以准确区分。整个过程以所见即所得为原则，将实拍图像原样转化为数字版图。若仅追求快速复刻，此时已可提交流片制造仿制品；但受限于腐蚀均匀性、成像畸变及人工测量偏差，所得几何参数误差显著，导致电路性能严重劣化。随后借助版图提取工具生成晶体管级网表，最终需由具备电路分析经验的工程师对网表进行逻辑解析与结构还原。