中国最高能制造几纳米

哎呀这个问题最近被问爆了，我查了下中芯国际去年官宣量产的是14纳米，而且成熟工艺像28纳米、40纳米这些已经非常稳了，大量用在家电、汽车和工业控制里；至于更先进的，听说N+1、N+2这些等效7纳米的工艺在小批量试产，但还没大规模商用，官方也没明确说已量产7nm，所以目前公开确认的最高就是14纳米，别听网上瞎传5纳米都能量产，那基本是把流片、测试、良率极低的实验阶段当量产了，咱得信官网和财报，不信段子手

中国国产芯片能达到90纳米。

国产芯片水平只能实现90纳米。

从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。

高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口，其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此，我国要生产高度国产化的芯片，目前90纳米是一个分界点。

这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”，国产率不到2%。

国产芯片现状及发展趋势：

1、起步晚没有核心技术：

国产芯片的起步很晚，几乎是国外已经有成熟技术了我们才开始搞芯片，所以在发展上一直不尽如人意。

由于信号链芯片相较于电源管理芯片的设计更为复杂，我国芯片方面的发展水平跟国外还有很大差距，所以我们一直没有核心技术，非常依赖国外的芯片进口。

2、大环境和美国对我国的制裁：

从美国的经济战打响的那一刻起，美国就宣布了要制裁华为，这也使得我国的芯片发展之路再一次受阻，加上疫情的突然“袭击”，芯片的崛起之路更是艰难。

只是国产芯片在封装企业市场目前的占有率较高，部分在高端芯片器件封装领域有较大突破。

3、总结：

大环境导致全球缺少芯片，中国更是举步维艰，原本华为被制裁已经一大致命因素，再加上如今台海局势紧张，芯片之战更是如火如荼。

我国已经在这方面出台了相关政策，中国集成电路新增产线的陆续投产以及快速发展的势头，但是最主要的还是应该在不放弃自主研发的基础上再继续自主创新。

上海一家芯片制造企业已实现14纳米工艺量产，这是国内第二家达成此成就的企业，国产芯片制造正加速推进。以下从多个方面详细阐述：

研发历程：该上海芯片制造企业数年前就已实现28纳米工艺量产，此后持续推进14纳米工艺研发。今年5月份，其14纳米工艺良率提升至25%，经过数个月努力，最终实现14纳米工艺量产。

量产条件：14纳米工艺无需先进的EUV光刻机，现有ASML可对外出售的DUV光刻机就能满足生产需求。甚至该企业用于28纳米工艺生产的DUV光刻机，采用多重曝光技术也可实现14纳米工艺。在当前美国限制先进光刻机对中国芯片制造企业供应的情况下，这为企业实现14纳米工艺量产提供了可能。

人才助力：为加快14纳米工艺量产，这家上海企业大举从中国台湾挖来关键技术人才。中国台湾的台积电如今已推进至3纳米，联电也早在多年前就实现14纳米工艺量产，大量人才为企业所用，加速了14纳米工艺研发进程。

工艺优势

满足更多需求：14纳米工艺比当前国内大量生产的28纳米工艺先进两代，能满足更多国内芯片设计企业的需求。目前国内诸多芯片行业仍大量采用28纳米及以上工艺生产芯片，14纳米的推出可更好地契合这些企业的需求。

提升性能：14纳米工艺引入了FinFET技术，比28纳米工艺大幅提升了性能。对于汽车芯片等，可提供更强性能，例如目前较多国产汽车企业采用的骁龙820A就是一款采用14/16纳米工艺的芯片，有助于国产汽车芯片进一步抢夺美国芯片市场。

推进技术演进：FinFET技术可演进至3纳米，台积电的第一代7纳米工艺就采用DUV光刻机以多重曝光技术实现。国产芯片制造企业实现14纳米工艺，意味着向7纳米工艺迈出了重要一步。

行业影响

激发潜力：这几年国产芯片在美国压力下爆发巨大潜力，芯片制造企业在压力下加快研发了比14纳米工艺更先进的12纳米、相当于7纳米的N + 1工艺等。此次实现14纳米工艺量产，将大幅加快7纳米工艺的研发进程。

提升可靠性：国内两家芯片制造企业实现14纳米工艺量产，提升了国产芯片制造的可靠性。国内14纳米工艺产能将倍增，国产芯片设计企业有了更多选择，芯片生产供应也更有保障。

国产芯片在艰难环境下加快创新，凸显出不畏艰险的精神。即使难以获得更先进光刻机，也能利用现有光刻机加快芯片制造工艺升级。相信国产芯片制造企业技术会越来越先进，助力国产芯片从设计到制造实现自主研发。

其实吧，芯片制程不是光看数字越小就越牛，咱们得看实际能力——中芯国际现在14纳米FinFET已经稳定供货好几年了，良率和成本控制得很不错；7纳米节点确实有技术储备，还申请了一堆专利，但受限于EUV光刻机没到位，只能靠DUV多重曝光硬刚，结果就是成本高、速度慢、良率一般，所以官方口径一直很谨慎，只说阶段性成果，没敢说量产。另外啊，国内还有长江存储、长鑫存储这些在存储芯片上突破很快，说明咱们是在多线并进，不是死磕一个纳米数